SI4435DDY-T1-E3  产品信息：

一般信息

数据列表 Si4435DDY;

标准包装   2,500

包装   标准卷带  

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 TrenchFET®

其它名称 SI4435DDY-T1-E3-ND

SI4435DDY-T1-E3TR

SI4435DDYT1E3

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 24 毫欧 @ 9.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 50nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1350pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（值） 2.5W（Ta），5W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

SI4435DDY-T1-E3  技术资料：

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