深圳市科祥威电子科技有限公司

产品信息：

一般信息
数据列表 IXT(A,P)110N055T2;
标准包装   50
包装   管件 
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 TrenchT2™


规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 110A（Tc）
驱动电压（大 Rds On， Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值） 6.6 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值） 57nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值） 3060pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 180W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3

产品实图拍摄：

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