深圳市科祥威电子科技有限公司

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产品分类

供应IPB042N10N3GATMA1 INFINEON TO263-3 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
供应IPB042N10N3GATMA1 INFINEON TO263-3 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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供应IPB042N10N3GATMA1 INFINEON TO263-3 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

型号/规格:

IPB042N10N3GATMA1

品牌/商标:

INFINEON

封装:

TO263-3

批号:

20+

产品信息

infineon  品牌介绍:

Infineon公司是十大半导体制造商之一。1999年5月1日,西门子半导体公司正式更名为Infineon,总部设在

德国慕尼黑。主要生产汽车和工业电子芯片、保密及IC卡应用IC、通讯多媒体芯片、存储器件等。1998年

Infineon公司是十大半导体制造商之一。




IPB042N10N3GATMA1   产品信息:

制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPB042N10N3GATMA1
描述
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
一般信息
数据列表 IPB042N10N3 G;
标准包装   1,000
包装   标准卷带 
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 OptiMOS™
其它名称 IPB042N10N3 G
IPB042N10N3 G-ND
IPB042N10N3 GTR-ND
IPB042N10N3G
IPB042N10N3GATMA1TR
SP000446880
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 6V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 4.2 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 3.5V @ 150μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 117nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 8410pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(值) 214W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK(TO-263AB)
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB



产品实图拍摄:






公司介绍:

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